[发明专利]直接变频射频接收前端电路装置

摘要

本发明实施例提供了一种直接变频射频接收前端电路装置。该装置包括驱动级电路、开关对电路和负载电路；驱动级电路将小信号电压vRF转换为小信号电流iRF，通过NMOS管将小信号电流iRF折叠流入开关对电路中的PMOS管的源极；开关对电路通过PMOS管对小信号电流iRF进行变频处理，得到中频小信号电流，并传输给所述负载电路；负载电路将中频小信号电流转化为中频小信号电压，并将中频小信号电压输出。本发明实施例的直接变频射频接收前端电路装置采用类电流注入的方式来降低噪声，提高电路整体性能。采用折叠式结构增加额外的电源到地的支路，即对应增加了偏置电流的优化自由度。通过降低开关对的偏置电流来改进闪烁噪声性能，同时兼有优越的增益性能。

主权项

1.一种直接变频射频接收前端电路装置，其特征在于，包括：驱动级电路、开关对电路和负载电路；所述的驱动级电路，用于和所述开关对电路连接，包括NMOS管，将小信号电压vRF转换为小信号电流iRF，通过NMOS管将所述小信号电流iRF折叠流入所述开关对电路中的PMOS管的源极；所述的驱动级电路包括：NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、电感L₁和电感L₂，所述NMOS管M1的漏极和所述NMOS管M3、所述NMOS管M5的源极连接，所述NMOS管M2的漏极和所述NMOS管M4、所述NMOS管M6的源极连接，所述NMOS管M1的栅极、所述NMOS管M2的栅极接收外界输入的小信号电压vRF，所述NMOS管M1的漏极、所述NMOS管M2的漏极输出小信号电流iRF，所述电感L₁连接所述NMOS管M3、所述NMOS管M6的漏极，所述电感L₂连接所述NMOS管M4、所述NMOS管M5的漏极；所述的开关对电路，用于和所述驱动级电路、负载电路连接，包括PMOS管，通过PMOS管对所述小信号电流iRF进行变频处理，得到中频小信号电流，将所述中频小信号电流传输给所述负载电路；所述的负载电路，用于和所述开关对电路连接，包括NMOS管和运算放大电路，将所述中频小信号电流转化为中频小信号电压，并将所述中频小信号电压输出。