[发明专利]直接变频射频接收前端电路装置

权利要求书

1.一种直接变频射频接收前端电路装置，其特征在于，包括：驱动级电路、开关对电路和负载电路；

所述的驱动级电路，用于和所述开关对电路连接，包括NMOS管，将小信号电压vRF转换为小信号电流iRF，通过NMOS管将所述小信号电流iRF折叠流入所述开关对电路中的PMOS管的源极；

所述的驱动级电路包括：NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、电感L₁和电感L₂，所述NMOS管M1的漏极和所述NMOS管M3、所述NMOS管M5的源极连接，所述NMOS管M2的漏极和所述NMOS管M4、所述NMOS管M6的源极连接，所述NMOS管M1的栅极、所述NMOS管M2的栅极接收外界输入的小信号电压vRF，所述NMOS管M1的漏极、所述NMOS管M2的漏极输出小信号电流iRF，所述电感L₁连接所述NMOS管M3、所述NMOS管M6的漏极，所述电感L₂连接所述NMOS管M4、所述NMOS管M5的漏极；

所述的开关对电路，用于和所述驱动级电路、负载电路连接，包括PMOS管，通过PMOS管对所述小信号电流iRF进行变频处理，得到中频小信号电流，将所述中频小信号电流传输给所述负载电路；

所述的负载电路，用于和所述开关对电路连接，包括NMOS管和运算放大电路，将所述中频小信号电流转化为中频小信号电压，并将所述中频小信号电压输出。

2.根据权利要求1所述的直接变频射频接收前端电路装置，其特征在于，所述驱动级电路中的所述NMOS管M5、所述NMOS管M6的栅极接收控制电压Vctrl，通过改变所述控制电压Vctrl的大小，所述NMOS管M5和NMOS管M6分流所述NMOS管M1的漏极、所述NMOS管M2的偏置电流。

3.根据权利要求1至2任一项所述的直接变频射频接收前端电路装置，其特征在于，所述的开关对电路包括：PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4，所述PMOS管P2的栅极和所述PMOS管P3的栅极连接，所述PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4的源极接收所述驱动级电路输出的小信号电流iRF，所述PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4的漏极输出中频小信号电流。

4.根据权利要求3所述的直接变频射频接收前端电路装置，其特征在于，所述的负载电路包括：两个电阻R_L、运算放大电路和NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10，所述运算放大电路的输出端和所述NMOS管M8的栅极、所述NMOS管M9的栅极连接，所述NMOS管M7的漏极、所述NMOS管M10的漏极输出中频小信号电压，将所述中频小信号电压镜像到射频接收前端电路中。

5.根据权利要求4所述的直接变频射频接收前端电路装置，其特征在于，所述两个电阻R_L接收所述PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4的漏极输出的中频小信号电流，所述运算放大电路的负输入端接收电压Vref，所述运算放大电路的输出端输出中频小信号电压。