[发明专利]一种二歧银莲花的组培繁殖方法无效

专利信息
申请号: 201410657608.1 申请日: 2014-11-18
公开(公告)号: CN104396748A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 罗翼 申请(专利权)人: 罗翼
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 龚燮英
地址: 545000 广西壮族自治*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种二歧银莲花的组培繁殖方法,主要通过对初代培养、增殖培养、生根培养以及炼苗移栽的步骤,达到了增殖速度快、遗传性状稳定、繁殖系数高、试管苗生长旺盛的优良效果,二歧银莲花的愈伤组织的萌动率达到了99%,增殖倍数达到了8.7倍,生根率达到了100%,最终的成活率达到了97%。
搜索关键词: 一种 二歧银 莲花 繁殖 方法
【主权项】:
一种二歧银莲花的组培繁殖方法,其特征在于该方法包括下列步骤:(1)外植体的选择:于4~7月采取生长健壮的二歧银莲花幼嫩茎段作外植体;(2)材料处理方法:先用软毛刷将二歧银莲花表面的灰尘轻轻刷去,用流水冲洗3分钟后用紫外灯照射20min,转入超净工作台,在超净工作台上先用70%的乙醇浸泡10秒,然后再转入滴加了2~3滴土温80的0.1%的升汞溶液中浸泡2‑3min,再用无菌水冲洗2~3次,最后在无菌条件下分割材料,茎段切割成0.6~0.8cm长;(3)初代培养:在无菌的条件下将步骤(2)得到的外植体接种在初代培养基上,该培养基是在1/2MS常规培养基中添加了2.2mg/L的2,4‑D、0.8mg/L的NAA、0.5mg/L的GA,PH 6.6,培养温度为24℃,光照周期13h/d,光强度为2300‑2500lux,待新芽长至2.0cm左右时,即开始下一个阶段;(4)增殖培养:将初代培养的外植体新芽剪下接种在继代培养基上,该培养基是在1/2MS常规培养基中添加了2.2mg/L的2,4‑D、0.8mg/L的NAA、0.5mg/L的GA,PH 6.6,培养温度为24℃,光照周期13h/d,光强度为2300‑2500lux,待新芽长至2.0cm时,即开始下一个阶段;(5)生根培养:将继代培养的外植体新芽剪下接种在生根培养基上,该培养基是在MS常规培养基中添加了2.4mg/L的IAA、0.5mg/L的NAA,1.5mg/L的KT,PH 6.6,培养温度为24℃,光照周期13h/d,光强度为1900lux,待新苗长至2.0cm时,即开始下一个阶段;(6)炼苗移栽:先将培养瓶移至温室,自然条件下炼苗7d,然后解开封口膜,炼苗3d,炼苗期间适当遮光,使光照强度为自然光的45%,炼苗完成后取出小苗洗净根部附着的培养基,移栽到经消毒的重量比砻糠灰∶珍珠岩:沙子:蛭石=2∶2∶1:1的混合基质中,温度控制在23℃,前5d湿度控制在80%左右,以后逐渐降低湿度,直至将移栽苗置于自然条件下。
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