[发明专利]一种二歧银莲花的组培繁殖方法无效
| 申请号: | 201410657608.1 | 申请日: | 2014-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN104396748A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
| 发明(设计)人: | 罗翼 | 申请(专利权)人: | 罗翼 |
| 主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 龚燮英 |
| 地址: | 545000 广西壮族自治*** | 国省代码: | 广西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 二歧银 莲花 繁殖 方法 | ||
技术领域
本发明涉及的是一种适用于二歧银莲花的组培繁殖方法。
背景技术
二歧银莲花(学名:Anemone dichotoma L.)是草本植物,植株高35-60厘米。基生叶1,总苞苞片2,扇形,三深裂近基部。花单生于花序分枝处;萼片5,白色或带粉红色,倒卵形或椭圆形,心皮约30,子房长圆形,有向外弯的短花柱。瘦果扁平,卵形或椭圆形,有边缘和稍弯的宿存花柱。6月开花。生丘陵或山坡湿草地或林中。分布于亚洲北部和欧洲、中国吉林和黑龙江。
目前,利用组培技术繁育二歧银莲花的技术尚未有人研究,组织培养体系尚未建立,优良品种的推广普及尚未完成,苗木供求矛盾日益加剧,严重影响了二歧银莲花的园林应用和推广。
发明内容
本发明针对现有的不足提供了一种二歧银莲花的组培繁殖方法。
本发明通过以下方法实现上述目的。
一种二歧银莲花的组培繁殖方法,其特征在于该方法包括下列步骤:
(1)外植体的选择:于4~7月采取生长健壮的二歧银莲花幼嫩茎段作外植体;
(2)材料处理方法:先用软毛刷将二歧银莲花表面的灰尘轻轻刷去,用流水冲洗3分钟后用紫外灯照射20min,转入超净工作台,在超净工作台上先用70%的乙醇浸泡10秒,然后再转入滴加了2~3滴土温80的0.1%的升汞溶液中浸泡2-3min,再用无菌水冲洗2~3次,最后在无菌条件下分割材料,茎段切割成0.6~0.8cm长;
(3)初代培养:在无菌的条件下将步骤(2)得到的外植体接种在初代培养基上,该培养基是在1/2MS常规培养基中添加了2.2mg/L的2,4-D、0.8mg/L的NAA、0.5mg/L的GA,PH 6.6,培养温度为24℃,光照周期13h/d,光强度为2300-2500lux,待新芽长至2.0cm左右时,即开始下一个阶段;
(4)增殖培养:将初代培养的外植体新芽剪下接种在继代培养基上,该培养基是在1/2MS常规培养基中添加了2.2mg/L的2,4-D、0.8mg/L的NAA、0.5mg/L的GA,PH 6.6,培养温度为24℃,光照周期13h/d,光强度为2300-2500lux,待新芽长至2.0cm时,即开始下一个阶段;
(5)生根培养:将继代培养的外植体新芽剪下接种在生根培养基上,该培养基是在MS常规培养基中添加了2.4mg/L的IAA、0.5mg/L的NAA,1.5mg/L的KT,PH 6.6,培养温度为24℃,光照周期13h/d,光强度为1900lux,待新苗长至2.0cm时,即开始下一个阶段;
(6)炼苗移栽:先将培养瓶移至温室,自然条件下炼苗7d,然后解开封口膜,炼苗3d,炼苗期间适当遮光,使光照强度为自然光的45%,炼苗完成后取出小苗洗净根部附着的培养基,移栽到经消毒的重量比砻糠灰∶珍珠岩:沙子:蛭石=2∶2∶1:1的混合基质中,温度控制在2:3℃,前5d湿度控制在80%左右,以后逐渐降低湿度,直至将移栽苗置于自然条件下。
有益效果:本发明对二歧银莲花采用组织培养技术,以嫩茎段为外植体,经外植体灭菌、初代培养、增殖培养、生根培养和炼苗移栽步骤,研究培养过程中试管苗的营养需求、激素对苗木生长分化的调控,解决二歧银莲花的微体快速增殖、诱导生根的重要技术问题,建立了完善的二歧银莲花组织培养体系,达到了高效诱导外植体分化增殖和高质量保证幼苗成活的目的,并且保存了母体的全部优良性状,遗传性状稳定。这种方法可在短期内形成大量优良试管苗,进行规模化、工厂化生产。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明,下述实施例仅用于说明本发明,对本发明并没有限制。
二歧银莲花的组培繁殖方法,该方法包括下列步骤:
(1)外植体的选择:于4~7月采取生长健壮的二歧银莲花幼嫩茎段作外植体;
(2)材料处理方法:先用软毛刷将二歧银莲花表面的灰尘轻轻刷去,用流水冲洗3分钟后用紫外灯照射20min,转入超净工作台,在超净工作台上先用70%的乙醇浸泡10秒,然后再转入滴加了2滴土温80的0.1%的升汞溶液中浸泡2min,再用无菌水冲洗2次,最后在无菌条件下分割材料,茎段切割成0.7cm长;
(3)初代培养:在无菌的条件下将步骤(2)得到的外植体接种在初代培养基上,该培养基是在1/2MS常规培养基中添加了2.2mg/L的2,4-D、0.8mg/L的NAA、0.5mg/L的GA,PH 6.6,培养温度为24℃,光照周期13h/d,光强度为2400lux,待新芽长至2.0cm左右时,即开始下一个阶段;
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