[发明专利]提高NANDFlash存储可靠性的数据存储方法

摘要

提高NAND Flash存储可靠性的数据存储方法，属于固态硬盘存储技术领域。解决了现有的方法在处理NAND Flash的数据贮存错误和编程干扰错误中，有效性依赖于待处理数据的前后字节具有很强的相关性；以及浪费有效的存储空间和需要配备完善的数据增位缓冲机制才可以实现与页宽度的对齐，不能与地址映射算法进行透明适配的问题。技术方案为在数据存储至NAND Flash之前应用半字节短码重映射编码，而在从NAND Flash中读出数据后应用半字节短码反映射解码，通过提升吞吐数据中“1”的比例，以达到提高数据存储可靠性。本发明适用于以NAND Flash为主存储芯片的固态存储设备。

主权项

一种提高NAND Flash存储可靠性的数据存储方法，所述方法包括编解码过程，其特征在于所述方法的具体步骤如下：步骤一：半字节数据短码出现频次的统计；具体为：对待写入NAND Flash的数据流进行拆分，以1/N页为编码宽度，将一页的数据量拆分为N个数据段，将每个数据段中的每个字节的数据拆分为两个半字节的数据短码，以编码宽度为单位，对数据流中包含的半字节数据短码出现的频次进行统计，并将统计结果按照出现频次由大至小进行排列；其中N为正整数；步骤二：半字节数据短码重新映射编码；具体为：将半字节数据短码按照出现频次由高到低的顺序重新映射为1111、1110、1101、1011、0111、1100、1010、1001、0110、0101、0011、1000、0100、0010、0001、0000；步骤三：将步骤二编码后的数据写入NAND Flash；具体为：将步骤二处理后的数据存储于NAND Flash存储芯片每页的用户数据区，将步骤一中每个数据段拆分出的半字节数据短码按照出现的频次由大到小排列形成64位的序列作为原数据短码序列，N个数据段共对应N个原数据短码序列，再将N个原数据短码序列存储于NAND Flash存储芯片每页的带外区；步骤四：解析NAND Flash中读出的页数据；具体为：通过执行NAND Flash“读页命令”读出每页的用户数据区和带外区数据，对带外区读出的数据按照先后顺序以四位为拆分长度进行半字节数据短码的拆分，根据一页包含的数据段的个数N读取出其存储的原数据短码序列的个数N和每个原数据短码序列的具体内容；步骤五：将步骤四中读出的数据进行拆分；具体为：将从用户数据区读出的数据按照步骤四中获取的N值进行等宽度的数据段拆分；步骤六：半字节数据短码反映射解码处理；具体过程为：将步骤五等分的N份数据段，根据步骤四中获取的带外区对应的半字节数据短码进行反映射解码处理，恢复至编码之前待写入NAND Flash中的数据段；反映射解码为步骤二中映射编码的逆过程；步骤七：数据段组合并输出；具体为：待步骤六中的N份数据段全部反映射解码结束后，将N份反映射后的数据段按照先后顺序重新组合为整页宽度的数据输出。