[发明专利]一种斜孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410652377.5 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105590843A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘海鹰;蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种斜孔刻蚀方法。该斜孔刻蚀方法包括以下步骤：第一刻蚀步骤，在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜孔，直至其达到预设深度；沉积步骤，在所述斜孔的侧壁和底面沉积聚合物；第二刻蚀步骤，仅刻蚀所述斜孔底面上的聚合物，直至将其完全消耗；第三刻蚀步骤，仅刻蚀所述斜孔底面，直至其达到预设深度；重复进行上述沉积步骤、第二刻蚀步骤和第三刻蚀步骤，直至获得目标刻蚀深度，然后去除掉斜孔的侧壁上沉积的聚合物。本发明提供的斜孔刻蚀方法，其可以解决现有技术中斜孔顶部形成有碗状形貌且侧壁的粗糙度高的问题，从而可以改善斜孔的形貌，进而可以提高工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：第一刻蚀步骤，在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜孔，直至其达到预设深度；沉积步骤，在所述斜孔的侧壁和底面沉积预设厚度的聚合物；第二刻蚀步骤，仅刻蚀所述斜孔底面上的聚合物，直至将其完全消耗；第三刻蚀步骤，仅刻蚀所述斜孔底面，直至其达到预设深度；重复进行上述沉积步骤、第二刻蚀步骤和第三刻蚀步骤，直至获得目标刻蚀深度，然后去除掉斜孔的侧壁上沉积的聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
