[发明专利]一种斜孔刻蚀方法

权利要求书

1.一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一刻蚀步骤，在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜孔，直至其达到预 设深度；

沉积步骤，在所述斜孔的侧壁和底面沉积预设厚度的聚合物；

第二刻蚀步骤，仅刻蚀所述斜孔底面上的聚合物，直至将其完全 消耗；

第三刻蚀步骤，仅刻蚀所述斜孔底面，直至其达到预设深度；

重复进行上述沉积步骤、第二刻蚀步骤和第三刻蚀步骤，直至获 得目标刻蚀深度，然后去除掉斜孔的侧壁上沉积的聚合物。

2.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述沉积 步骤沉积在所述侧壁上的厚度根据如下关系设置：所述厚度与所述斜 孔的角度大小成反，和/或，所述厚度与所述斜孔侧壁的平滑度成反比； 所述斜孔的角度是指其侧壁与其底面之间角度的补角。

3.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一 刻蚀步骤和/或所述第三刻蚀步骤的刻蚀深度根据如下关系设置：所述 刻蚀深度与所述斜孔侧壁的平滑度成反比。

4.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述第 一刻蚀步骤和/或第三刻蚀步骤中，对所述硅片交替进行刻蚀作业和沉 积作业，以实现刻蚀预设深度。

5.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述沉 积步骤中，采用等离子体沉积工艺在所述斜孔的侧壁和底面上沉积聚 合物。

6.根据权利要求5所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述等离 子体沉积工艺的工艺气体包括碳氟类气体。

7.根据权利要求6所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟 类气体包括C₄F₈和/或C₅F₈气体。

8.根据权利要求5所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述等离 子体沉积工艺激励功率的范围在300～5000W；偏压功率的范围在 0～50W。

9.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述第 二刻蚀步骤中，采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述斜孔底面上的聚合物。

10.根据权利要求9所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述等 离子体刻蚀工艺的工艺参数包括：激励功率的范围在300～5000W；偏 压功率的范围在10～200W。

11.根据权利要求9所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述等 离子体刻蚀工艺的工艺参数中的工艺气体包括CF_x、CH_xF_y、Cl₂、HBr 和SF₆中的一种或者多种。

12.根据权利要求9所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述等 离子体刻蚀工艺的工艺参数还包括载气体，且载气体包括Ar、N₂、He 和O₂中的一种或者多种。

13.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，采用湿 法或者等离子体干法刻蚀去除所述斜孔侧壁上的聚合物。