[发明专利]一种红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法在审
| 申请号： | 201410647269.9 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104393126A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 沈智广 | 申请（专利权）人： | 无锡科思电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;C23C14/24 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法，在具有P面的CaAs衬底的另一面上依次设置第一Au层、AuGeNi层、Ni层、第二Au层；所述第一Au层、AuGeNi层、Ni层、第二Au层均采用蒸镀的方法设置，且各层的蒸镀温度均为540℃～560℃。使用该温度进行蒸镀，使得经过热处理后的表面均匀、平整，其伏-安特性斜率大，接触电阻小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红色 led 芯片 工艺 中的 面蒸镀 方法 | ||
【主权项】：
一种红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法，包括如下步骤：步骤1、在具有P面的CaAs衬底的另一面上设置第一Au层；步骤2、在第一Au层上设置AuGeNi层；步骤3、在AuGeNi层上设置Ni层；步骤4、在Ni层上设置第二Au层；其特征在于：所述第一Au层、AuGeNi层、Ni层、第二Au层均采用蒸镀的方法设置，其中第一Au层的蒸镀温度、AuGeNi层的蒸镀温度、Ni层的蒸镀温度、第二Au层的蒸镀温度均为540℃～560℃。
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