[发明专利]一种红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法

权利要求书

1.一种红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法，包括如下步骤：

步骤1、在具有P面的CaAs衬底的另一面上设置第一Au层；

步骤2、在第一Au层上设置AuGeNi层；

步骤3、在AuGeNi层上设置Ni层；

步骤4、在Ni层上设置第二Au层；

其特征在于：所述第一Au层、AuGeNi层、Ni层、第二Au层均采用蒸镀的方法设置，其中第一Au层的蒸镀温度、AuGeNi层的蒸镀温度、Ni层的蒸镀温度、第二Au层的蒸镀温度均为540℃～560℃。

2.根据权利要求1所述的红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法，其特征在于：所述第一Au层的蒸镀温度、AuGeNi层的蒸镀温度、Ni层的蒸镀温度、第二Au层的蒸镀温度均为550℃。

3.根据权利要求1所述的红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法，其特征在于：所述第一Au层的蒸镀温度、AuGeNi层的蒸镀温度、Ni层的蒸镀温度、第二Au层的蒸镀温度均为545℃。

4.根据权利要求1所述的红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法，其特征在于：所述蒸镀在真空条件下进行，所述步骤1前还包括如下过程：

设置真空度为1×10^-1帕，用离子轰击9～11分钟，然后继续抽真空至真空度为1×10^-4帕，将温度调节至190℃～210℃，维持3～5分钟。

5.根据权利要求4所述的红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法，其特征在于：设置真空度为1×10^-1帕，用离子轰击10分钟，然后继续抽真空至真空度为1×10^-4帕，将温度调节至200℃，维持4分钟。

6.根据权利要求4所述的红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法，其特征在于：设置真空度为1×10^-1帕，用离子轰击10分钟，然后继续抽真空至真空度为1×10^-4帕，将温度调节至205℃，维持4分钟。

7.根据权利要求4所述的红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法，其特征在于：所述第一Au层、AuGeNi层、Ni层、第二Au层的蒸镀真空度为1×10^-2～1×10^-3帕。

8.根据权利要求1所述的红色LED芯片制程工艺中的N面蒸镀方法，其特征在于：所述N面的厚度为40～60um。