[发明专利]半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置有效
申请号: | 201410646153.3 | 申请日: | 2014-11-14 |
公开(公告)号: | CN104629259B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 长田将一;横田龙平 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08K13/06;C08K3/22;C08K3/24;C08K5/5399;C08K9/06;C08K3/36;C08G59/40;H01L23/29 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供即使在175~250℃的高温下长期保存的情况下与CuLF、Ag镀敷的密合性优异,能够成为不存在Cu线、Cu线/Al垫的接合部的断线、腐蚀的可靠性优异的半导体装置的半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置。半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,以下述成分作为必要成分,基本上不含溴化物、红磷、磷酸酯和锑化合物。(A)环氧树脂,(B)固化剂,(C)无机质填充剂,(D)氢氧化铋或次碳酸铋,(E)下述平均组成式(1)所示的磷腈化合物 |
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搜索关键词: | 半导体 密封 环氧树脂 组合 装置 | ||
【主权项】:
半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,以下述成分作为必要成分,基本上不含溴化物、红磷、磷酸酯和锑化合物,(A)环氧树脂,(B)固化剂,(C)无机质填充剂,(D)氢氧化铋或次碳酸铋,(E)下述平均组成式(1)所示的磷腈化合物
式中,X为单键或从CH2、C(CH3)2、SO2、S、O、和O(CO)O中选择的基团,d、e、n是满足0≤d≤0.25n、0≤e<2n、2d+e=2n、3≤n≤1,000的数。
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