[发明专利]能够避免沾污的多晶硅磷掺杂后处理清洗方法在审
| 申请号： | 201410641577.0 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104409324A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 杨微;宋洪德;赵卫;刘金虎;宋立明;孔维东 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 能够避免沾污的多晶硅磷掺杂后处理清洗方法属于微电子器件制造技术领域。现有技术在多晶硅磷掺杂后处理工步之后，依然存在沾污，即使微量沾污也会导致器件失效，因此，芯片的废品率因此而居高不下。本发明之能够避免沾污的多晶硅磷掺杂后处理清洗方法首先采用摩尔比为HF:H2O＝1:10的酸性清洗液清洗经多晶硅磷掺杂之后的硅片，在将硅片表面的SiO2氧化层漂掉的同时去掉硅片表面残余的HF和副产物SiF4；其特征在于，其次，采用NH4OH:H2O2:H2O的摩尔比为1:1:5、1:2:5、1:2:7这三种比例之一的碱性清洗液继续清洗硅片，所述碱性清洗液的温度为55～65℃，清洗时间为3～6分钟。采用本发明之方法，能够避免经多晶硅磷掺杂后处理之后沾污现象的发生，从而降低芯片废品率。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 避免 沾污 多晶 掺杂 处理 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种能够避免沾污的多晶硅磷掺杂后处理清洗方法，首先采用摩尔比为HF:H2O＝1:10的酸性清洗液清洗经多晶硅磷掺杂之后的硅片，在将硅片表面的SiO2氧化层漂掉的同时去掉硅片表面残余的HF和副产物SiF4；其特征在于，其次，采用NH4OH:H2O2:H2O的摩尔比为1:1:5、1:2:5、1:2:7这三种比例之一的碱性清洗液继续清洗硅片，所述碱性清洗液的温度为55～65℃，清洗时间为3～6分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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