[发明专利]能够避免沾污的多晶硅磷掺杂后处理清洗方法在审
| 申请号： | 201410641577.0 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104409324A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 杨微;宋洪德;赵卫;刘金虎;宋立明;孔维东 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 能够 避免 沾污 多晶 掺杂 处理 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种能够避免沾污的多晶硅磷掺杂后处理清洗方法，首先采用摩尔比为HF:H2O＝1:10的酸性清洗液清洗经多晶硅磷掺杂之后的硅片，在将硅片表面的SiO2氧化层漂掉的同时去掉硅片表面残余的HF和副产物SiF4；其特征在于，其次，采用NH4OH:H2O2:H2O的摩尔比为1:1:5、1:2:5、1:2:7这三种比例之一的碱性清洗液继续清洗硅片，所述碱性清洗液的温度为55～65℃，清洗时间为3～6分钟。
2.根据权利要求1所述的能够避免沾污的多晶硅磷掺杂后处理清洗方法，其特征在于，当NH4OH:H2O2:H2O的摩尔比为1:1:5时，所述碱性清洗液的温度为55℃，之后用超纯水清洗5分钟。
3.根据权利要求1所述的能够避免沾污的多晶硅磷掺杂后处理清洗方法，其特征在于，当NH4OH:H2O2:H2O的摩尔比为1:2:5时，所述碱性清洗液的温度为60℃，之后用超纯水清洗5分钟。
4.根据权利要求1所述的能够避免沾污的多晶硅磷掺杂后处理清洗方法，其特征在于，当NH4OH:H2O2:H2O的摩尔比为1:2:7时，所述碱性清洗液的温度为65℃，之后用超纯水清洗5分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林华微电子股份有限公司，未经吉林华微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410641577.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
