[发明专利]静电放电保护电路、结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种静电放电保护结构，包括第一导电型基底、基底中的第二导电型阱区、第一导电型的第一与第二掺杂区、第二导电型的第四至第六掺杂区以及第一与第二栅极。第一与第二掺杂区分别在阱区、基底中。第一与第二栅极分别在非阱区的基底表面上。第三掺杂区在基底中且在第一与第二栅极间。第四掺杂区在基底中且在第一与第二栅极一侧，且邻近第二掺杂区。第五掺杂区在基底中并沿伸到阱区，且在第一与第二栅极另一侧。第一掺杂区位于第五与六掺杂区间。第一、第六掺杂区与第一栅极电连接一起。第四、第二掺杂区与第二栅极电连接一起。此外，本发明还提供了该静电放电保护结构的制造方法及一种静电放电保护电路。

主权项

一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：一基底，具有一第一导电型；一阱区，具有一第二导电型，配置在该基底中；一第一掺杂区，具有该第一导电型，配置在该阱区中；一第二掺杂区，具有该第一导电型，配置在该基底中；一第一栅极与一第二栅极，分别配置在非该阱区所在区域的该基底的表面上；一第三掺杂区，具有该第二导电型，配置在该基底中，且位于该第一栅极与该第二栅极之间；一第四掺杂区，具有该第二导电型，配置在该基底中，且位于该第一栅极与第二栅极的一侧，且邻近该第二掺杂区；一第五掺杂区，具有该第二导电型，配置在该基底中并且沿伸到该阱区中，且位于该第一栅极与该第二栅极的另一侧；以及一第六掺杂区，具有该第二导电型，配置在该阱区中，并使该第一掺杂区位于该第五与该六掺杂区之间，其中该第一掺杂区、该第六掺杂区与该第一栅极电性连接到一第一焊垫，该第四掺杂区、该第二掺杂区与该第二栅极电性连接到一第二焊垫。