[发明专利]静电放电保护电路、结构及其制造方法

权利要求书

1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一导电型；

一阱区，具有一第二导电型，配置在该基底中；

一第一掺杂区，具有该第一导电型，配置在该阱区中；

一第二掺杂区，具有该第一导电型，配置在该基底中；

一第一栅极与一第二栅极，分别配置在非该阱区所在区域的该基底的 表面上；

一第三掺杂区，具有该第二导电型，配置在该基底中，且位于该第一 栅极与该第二栅极之间；

一第四掺杂区，具有该第二导电型，配置在该基底中，且位于该第一 栅极与第二栅极的一侧，且邻近该第二掺杂区；

一第五掺杂区，具有该第二导电型，配置在该基底中并且沿伸到该阱 区中，且位于该第一栅极与该第二栅极的另一侧；以及

一第六掺杂区，具有该第二导电型，配置在该阱区中，并使该第一掺 杂区位于该第五与该六掺杂区之间，

其中该第一掺杂区、该第六掺杂区与该第一栅极电性连接到一第一焊 垫，

该第四掺杂区、该第二掺杂区与该第二栅极电性连接到一第二焊垫。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括一 电阻，配置在该第二栅极与该第二焊垫之间。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其中该第一焊垫为输入 焊垫，该第二焊垫为接地焊垫，以及

该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其中该第一掺杂区、该 阱区与该基底构成一第一双载子结型晶体管；该阱区、该基底与该第四掺 杂区构成一第二双载子结型晶体管，

其中该第一双载子结型晶体管与该第二双载子结型晶体管构成硅控 整流器。

5.一种静电放电保护结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，具有一第一导电型；

形成一阱区，该阱区具有一第二导电型，配置在该基底中；

在该阱区中形成一第一掺杂区，其具有该第一导电型；

在该基底中形成一第二掺杂区，其具有该第一导电型；

形成一第一栅极与一第二栅极，使其分别配置在非该阱区所在区域的 该基底的表面上；

形成一第三掺杂区，具有该第二导电型，位于该基底中，且位于该第 一栅极与该第二栅极之间；

形成一第四掺杂区，具有该第二导电型，位于该基底中，且位于该第 一栅极与第二栅极的一侧，且邻近该第二掺杂区；

形成一第五掺杂区，具有该第二导电型，位于在该基底中并且沿伸到 该阱区中，且位于该第一栅极与该第二栅极的另一侧；以及

形成一第六掺杂区，具有该第一导电型，位于该阱区中，并使该第一 掺杂区位于该第五与该六掺杂区之间；

将该第一掺杂区、该第六掺杂区与该第一栅极电性连接到一第一焊垫； 以及

将该第四掺杂区、该第二掺杂区与该第二栅极电性连接到一第二焊垫。

6.根据权利要求5所述的静电放电保护结构的制造方法，其特征在于， 还包括形成一电阻于在该第二栅极与该第二焊垫之间。

7.根据权利要求5所述的静电放电保护结构的制造方法，其中该第一 焊垫为输入焊垫，该第二焊垫为接地焊垫，以及该第一导电型为P型，该 第二导电型为N型。