[发明专利]硅片和湿法刻蚀系统在审
| 申请号： | 201410636747.6 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104409390A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 黄华;蒋方丹;金浩;陈康平 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种硅片，所述硅片包括：待刻蚀硅片与复合于所述待刻蚀硅片扩散面的水膜保护层。本申请由于在待刻蚀硅片的扩散面形成了水膜保护层，其在后续刻蚀时保护硅片的扩散面，使后续湿法刻蚀过程中药液无法进入到硅片的扩散面，从而能够去除湿法刻蚀过程中产生的多余刻蚀区域，增加PN结的有效受光面积，提高光电转化效率。本申请还提供了一种湿法刻蚀系统，所述湿法刻蚀系统包括设置于湿法刻蚀设备上料端的水膜喷淋系统。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 湿法 刻蚀 系统 | ||
【主权项】：
一种硅片，包括：待刻蚀硅片，复合于所述待刻蚀硅片扩散面的水膜保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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