[发明专利]硅片和湿法刻蚀系统在审
| 申请号： | 201410636747.6 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104409390A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 黄华;蒋方丹;金浩;陈康平 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 湿法 刻蚀 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片，包括：
待刻蚀硅片，
复合于所述待刻蚀硅片扩散面的水膜保护层。
2.根据权利要求1所述的保护层，其特征在于，所述水膜保护层为去离子水。
3.一种湿法刻蚀系统，包括：设置于湿法刻蚀设备上料端的水膜喷淋系统。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀系统，其特征在于，所述水膜喷淋系统包括滴水盒、用于感应待刻蚀硅片进入上料端的感应器、用于接收感应器信号与输出信号的PLC与接收PLC信号的电磁阀。
5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀系统，其特征在于，所述湿法刻蚀设备上料端还有与滴水盒对应设置的压水辊，所述压水辊的下部对应设置有导流盒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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