[发明专利]一种坏点遮盖方法和系统有效
申请号: | 201410631943.4 | 申请日: | 2014-11-11 |
公开(公告)号: | CN104333676B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 任立;李国新;吴大斌 | 申请(专利权)人: | 广东中星微电子有限公司 |
主分类号: | H04N5/21 | 分类号: | H04N5/21;H04N17/00 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 杨晞 |
地址: | 519031 广东省珠海市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种坏点遮盖方法和系统,解决了现有技术中由于芯片内SRAM的大小有限,而使得坏点表存储受限,以及芯片制造成本增加的问题。该坏点遮盖方法包括:将坏点表存储在芯片外部存储器;从所述芯片外部存储器中读取所述坏点表中的坏点坐标存入芯片内部存储器;根据所述芯片内部存储器中存储的坏点坐标,对落入所述坏点坐标的显示数据进行遮盖处理;清除所述芯片内部存储器中已完成遮盖处理的坏点坐标;继续从所述芯片外部存储器中读取坏点坐标存入所述芯片内部存储器已清除的存储空间。 | ||
搜索关键词: | 一种 遮盖 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种坏点遮盖方法,其特征在于,包括:将坏点表存储在芯片外部存储器,其中,通过寄存器配置所述坏点表的大小、坏点数及坏点坐标的位宽;从所述芯片外部存储器中读取所述坏点表中的坏点坐标存入芯片内部存储器;根据所述芯片内部存储器中存储的坏点坐标,对落入所述坏点坐标的显示数据进行遮盖处理;清除所述芯片内部存储器中已完成遮盖处理的坏点坐标;从所述芯片外部存储器中读取坏点坐标存入所述芯片内部存储器已清除的存储空间。
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