[发明专利]一种坏点遮盖方法和系统

说明书

本发明实施例提供一种坏点遮盖方法和系统，解决了现有技术中由于芯片内SRAM的大小有限，而使得坏点表存储受限，以及芯片制造成本增加的问题。该坏点遮盖方法包括：将坏点表存储在芯片外部存储器；从所述芯片外部存储器中读取所述坏点表中的坏点坐标存入芯片内部存储器；根据所述芯片内部存储器中存储的坏点坐标，对落入所述坏点坐标的显示数据进行遮盖处理；清除所述芯片内部存储器中已完成遮盖处理的坏点坐标；继续从所述芯片外部存储器中读取坏点坐标存入所述芯片内部存储器已清除的存储空间。

技术领域

本发明涉及数字图像处理领域，特别涉及一种坏点遮盖方法和系统。

技术背景

现有技术中的坏点遮盖是首先通过特殊程序检测出图像传感器的坏点，将坏点的坐标保存在一坏点表中；然后芯片再根据该坏点表对图像传感器实时传输的显示数据进行处理，以遮盖算法对落入坏点坐标的显示数据进行遮盖。其中，坏点表存储在芯片内部的单口SRAM(静态存储器)中。现有的SRAM一般只能储存1024个坏点坐标，每个坏点坐标的位宽为12-bit。

然而随着图像传感器分辨率的不断提高，图像传感器的坏点数量以及坏点坐标的位宽也不断增加。以4K分辨率的图像传感器为例，坏点坐标的位宽至少要扩展到13-bit，这样现有SRAM的大小则至少需要增加4％。此外，4K分辨率的像素点数量高达4096*2160个，即使只有其中1％的像素点为坏点，芯片内SRAM的尺寸也必须成百倍增加。而增加SRAM的尺寸不仅有悖于当今社会对芯片“微型化”的要求，还会增加芯片的制造成本。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种新的坏点遮盖方法和系统，解决了现有技术中由于芯片内SRAM的大小有限，而使得坏点表存储受限，以及芯片制造成本增加的问题。

本发明实施例提供了一种坏点遮盖方法，包括：

将坏点表存储在芯片外部存储器；

从所述芯片外部存储器中读取所述坏点表中的坏点坐标存入芯片内部存储器；

根据所述芯片内部存储器中存储的坏点坐标，对落入所述坏点坐标的显示数据进行遮盖处理；

清除所述芯片内部存储器中已完成遮盖处理的坏点坐标；

从所述芯片外部存储器中读取坏点坐标存入所述芯片内部存储器已清除的存储空间。

本发明实施例提供的一种坏点遮盖方法系统，包括：

控制模块，配置为从芯片外部存储器中读取坏点表中的坏点坐标存入芯片内部存储器，其中，所述芯片外部存储器预先存储有所述坏点表；

遮盖模块，配置为根据所述芯片内部存储器中存储的坏点坐标，对落入所述坏点坐标的显示数据进行遮盖处理；

清除模块，配置为清除所述芯片内部存储器中已完成遮盖处理的坏点坐标。

利用本发明实施例所提供的坏点遮盖方法和系统，将坏点表存储在芯片外部存储器，坏点坐标的存储以及坏点坐标的位宽不再受芯片内部存储器的限制，扩展了坏点表的容量。此外，芯片内部存储器不用同时存储坏点表中的所有坏点坐标，减小了芯片内部存储器的大小，这不仅有利于减小芯片制造尺寸，还降低了芯片的制造成本。

附图说明

图1所示为本发明一实施例所提供的坏点遮盖方法的流程示意图。

图2所示为本发明一实施例所提供的坏点遮盖方法的流程示意图。

图3所示为本发明一实施例所提供的坏点遮盖系统的结构示意图。

具体实施方式