[发明专利]基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410631072.6 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN104409512A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王笑笑;萧祥志;杜鹏;苏长义;徐洪远;孙博 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，以及一种形成双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括:一基板；至少一图案化非晶硅层位于所述基板上的一阻隔层内，所述至少一图案化非晶硅层构成一底栅极；一N型金属氧化半导体，位于所述阻隔层上；以及一P型金属氧化半导体，位于所述阻隔层上；其中，所述N型金属氧化半导体成一图案化栅极电极层与所述至少一图案化非晶硅层形成的所述底栅极结合成双栅极结构，使电流-电压特性更加稳定，导通电流明显改善，驱动能力增加，降低功耗，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 栅极 结构 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括:一基板；至少一图案化非晶硅层位于所述基板上的一阻隔层内，所述至少一图案化非晶硅层构成一底栅极；一N型金属氧化半导体位于所述阻隔层上；以及一P型金属氧化半导体位于所述阻隔层上；其中，所述N型金属氧化半导体具有一图案化栅极电极层作为顶栅极，并与所述至少一图案化非晶硅层构成的所述底栅极结合成双栅极结构。
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