[发明专利]基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括:

一基板；

至少一图案化非晶硅层位于所述基板上的一阻隔层内，所述至少一图案化非晶硅层构成一底栅极；

一N型金属氧化半导体位于所述阻隔层上；以及

一P型金属氧化半导体位于所述阻隔层上；

其中，所述N型金属氧化半导体具有一图案化栅极电极层作为顶栅极，并与所述至少一图案化非晶硅层构成的所述底栅极结合成双栅极结构。

2.根据权利要求1所述的基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述N型金属氧化半导体，包括:

一第一图案化多晶硅层；

两N^-型层，所述两N^-型层的内侧各自接合于所述第一图案化多晶硅层的两外侧；

两N⁺型层，所述两N⁺型层各自接合于所述N^-型层的两外侧；以及

一栅极绝缘层，位于所述第一图案化多晶硅层、所述两N^-型层、所述两N⁺型层以及所述阻隔层上。

3.根据权利要求2所述的基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述P型金属氧化半导体，包括:

一第二图案化多晶硅层；

两P⁺型层，所述两P⁺型层各自接合于所述第二图案化多晶硅层的两外侧；以及

所述栅极绝缘层，位于所述第二图案化多晶硅层以及所述两P⁺型层上。

4.根据权利要求3所述的基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层绝缘分隔所述N型金属氧化半导体的所述图案化栅极电极层与所述第一图案化多晶硅层，使所述第一图案化多晶硅层形成一N通道。

5.根据权利要求4所述的基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述P型金属氧化半导体具有一图案化栅极电极层，以及所栅极绝缘层绝缘分隔所述P型金属氧化半导体的所述图案化栅极电极层与所述第二图案化多晶硅层，使所述第二图案化多晶硅层形成形成一P通道。

6.根据权利要求5所述的基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，还包括:

一内介电层，位于所述图案化栅极电极层以及所述栅极绝缘层上；

多个穿孔，穿设于所述内介电层以及所述栅极绝缘层。

7.根据权利要求6所述的基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，还包括:

数个图案化源极/漏极电极，各自经由所述穿孔，连结所述P型金属氧化半导体的所述P⁺型层以及连结所述N型金属氧化半导体的所述N⁺型层。

8.根据权利要求7所述的基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，

所述图案化栅极电极层由一第一金属所构成并具有一垂直延伸部，所述垂直延伸部经由所述连接通道连结所述第一图案化非晶硅层连结的所述N⁺型层，进而形成双栅极结构的薄膜晶体管。