[发明专利]具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具在审
| 申请号： | 201410624971.3 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN104953007A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 陈桂芳 | 申请（专利权）人： | 贺喜能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;F21S2/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾苗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明具硅基座的发光二极管包含一硅基座及一发光二极管芯片，所述硅基座包括一形成于内部的电源控制集成电路、一形成于底面的P电极、一形成于底面的N电极，及一形成于底面的散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接，所述发光二极管芯片共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，其中，定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部，所述电源控制集成电路取代以往的电源控制器，提供了更加优化的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 基座 发光二极管 灯具 | ||
【主权项】：
一种具硅基座的发光二极管，其特征在于，包含：一硅基座，包括形成于内部的一电源控制集成电路、形成于底面的一P电极、形成于底面的一N电极，及形成于底面的一散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接；及至少一发光二极管芯片，共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，其中，所述硅基座定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贺喜能源股份有限公司，未经贺喜能源股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410624971.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
