[发明专利]具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具在审
| 申请号: | 201410624971.3 | 申请日: | 2014-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN104953007A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
| 发明(设计)人: | 陈桂芳 | 申请(专利权)人: | 贺喜能源股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;F21S2/00 |
| 代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中国台湾苗*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基座 发光二极管 灯具 | ||
1.一种具硅基座的发光二极管,其特征在于,包含:
一硅基座,包括形成于内部的一电源控制集成电路、形成于底面的一P电极、形成于底面的一N电极,及形成于底面的一散热接地部,所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接;及
至少一发光二极管芯片,共晶贴合于所述硅基座顶面,所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接,
其中,所述硅基座定义一散热通道,是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部。
2.根据权利要求1所述的具硅基座的发光二极管,其特征在于,所述电源控制集成电路绕所述散热通道设置。
3.根据权利要求2所述的具硅基座的发光二极管,其特征在于,所述电源控制集成电路设置于该P电极和该N电极之上。
4.根据权利要求1所述的具硅基座的发光二极管,其特征在于,所述散热通道为垂直向下。
5.根据权利要求4所述的具硅基座的发光二极管,其特征在于,所述散热通道连接于所述散热接地部。
6.根据权利要求1所述的具硅基座的发光二极管,其特征在于,所述硅基座还包括一温度控制集成电路。
7.根据权利要求1所述的具硅基座的发光二极管,其特征在于,所述硅基座还包括一变色控制集成电路。
8.一种发光二极管灯具,其特征在于,包含:
一散热座,包括一平坦的基面,及多个自所述基面凸起的散热高台;
一电路板,包括一对应接触所述散热座的基面的散热底面,及多个对应所述散热高台开设的槽道,所述多个散热高台位于所述多个槽道中;及
至少一发光二极管,设置于所述电路板槽道上且位于所述散热座的散热高台顶面,每一发光二极管包括一硅基座及至少一发光二极管芯片,所述硅基座包括形成于内部的一电源控制集成电路、形成于底面的一P电极、形成于底面的一N电极,及形成于底面的一散热接地部,所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接,所述发光二极管芯片共晶贴合于所述硅基座顶面,所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接,其中,所述硅基座定义一散热通道,是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部。
9.根据权利要求8所述的发光二极管灯具,其特征在于,所述散热通道透过所述散热接地部连接所述散热高台。
10.根据权利要求9所述的发光二极管灯具,其特征在于,所述发光二极管灯具还包含一层位于所述发光二极管的硅基座的散热接地部与所述散热座的散热高台顶面间的一界面合金层。
11.根据权利要求10所述的发光二极管灯具,其特征在于,所述散热座的散热高台顶面加上所述界面合金层的高度高于所述电路板,所述界面合金层的厚度为小于0.03mm。
12.根据权利要求10所述的发光二极管灯具,其特征在于,所述硅基座的散热接地部与所述散热座的散热高台顶面皆形成有金锡合金层,并共同形成所述界面合金层。
13.根据权利要求10所述的发光二极管灯具,其特征在于,所述硅基座的散热接地部与所述散热座的散热高台顶面间利用焊锡填补空气缝隙。
14.根据权利要求8所述的发光二极管灯具,其特征在于,所述散热座与所述电路板使用高熔点焊锡焊固,所述发光二极管与所述散热座、所述发光二极管与电路板分别皆使用低熔点焊锡焊固。
15.一种灯具,其特征在于,包含至少一权利要求1所述的具硅基座的发光二极管。
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