[发明专利]有机发光二极管荧光器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410621109.7 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105633295A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李艳虎;林信志 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 201508 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有机发光二极管荧光器件结构及其制作方法，该器件结构包括依次设置的阳极层、空穴注入层、发光层、电子注入层、以及阴极层，所述发光层的上表面和下表面中至少有一面设有限制层，所述限制层的三线态能级高于与所述发光层的三线态能级。采用三线态能级高于发光层的三线态能级的限制层设于发光层处，将三线态激子限制在发光层内，增加三线态激子融合的几率，使得三线态激子融合后产生单线激子，从而产生荧光光谱，使得荧光器件内量子效率由25％提高到40％，器件效率实际提高了60％。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 荧光 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，包括阳极层、空穴注入层、发光层、电子注入层、以及阴极层，所述发光层的上表面和下表面中至少有一面设有限制层，所述限制层的三线态能级高于所述发光层的三线态能级。
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