[发明专利]有机发光二极管荧光器件结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种有机发光二极管荧光器件结构及 其制作方法。

背景技术

最近几年，OLED(有机发光二极管)的发展得到科研界和工业界的广 泛关注，OLED显示屏已经步入人们的生活，目前的OLED显示行业一般采 用RGB技术，其中红光与绿光器件一般采用磷光材料，可以实现100％的 内量子效率，而蓝光器件依然在效率以及寿命方面需要多方面的改进，由 于磷光蓝色器件的寿命比较短，因此目前的蓝光OLED器件一般采用荧光 体系，由于荧光材料的内量子效率为25％，其余75％的能量都被白白浪费 掉，其发光效率比较差，因此如何提高蓝光器件的效率和稳定性是目前急 需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种有机发光二极管荧 光器件结构及其制作方法，可以解决荧光材料的器件内量子效率低、发光 效率差的问题。

实现上述目的的技术方案是：

本发明一种有机发光二极管荧光器件结构，包括从下至上依次设置的 阳极层、空穴注入层、发光层、电子注入层、以及阴极层，所述发光层的 上表面和下表面中至少有一面设有限制层，所述限制层的三线态能级高于 与所述发光层的三线态能级。

采用三线态能级高于发光层的三线态能级的限制层设于发光层处，将 三线态激子限制在发光层内，增加三线态激子融合的几率，使得三线态激 子融合后产生单线激子，从而产生荧光光谱，使得荧光器件内量子效率由 25％提高到40％，器件效率实际提高了60％。

本发明有机发光二极管荧光器件结构的进一步改进在于，所述空穴注 入层的空穴注入能力大于所述电子注入层的电子注入能力，发光区域靠近 阴极时，所述限制层包括设于所述发光层的上表面的第一限制层，所述第 一限制层具有电子传输能力，并作为电子传输层；若第一限制层电子传输 能力较差，须在所述第一限制层和所述电子注入层之间设有电子传输层。

本发明有机发光二极管荧光器件结构的进一步改进在于，所述空穴注 入层的空穴注入能力小于所述电子注入层的电子注入能力，发光区域靠近 阳极时，所述限制层包括设于所述发光层的下表面的第二限制层，所述第 二限制层具有空穴传输能力，并作为空穴传输层；若第二限制层空穴传输 能力较差，须在所述第二限制层和所述空穴注入层之间设有空穴传输层。

本发明有机发光二极管荧光器件结构的进一步改进在于在发光层两 边添加限制层，限制层具有较高的三线态能级，例如可选择限制层材料为 TCTA或者PO14。

本发明一种有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，包括：

提供阳极基板作为阳极层，于所述阳极层上依次制作空穴注入层、发 光层、电子注入层、以及阴极层；

在制作所述发光层时，于所述发光层的上表面和下表面中的至少一面 制作限制层，使所述限制层的三线态能级高于所述发光层的三线态能级。

本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于， 制作限制层包括：于所述发光层的上表面制作第一限制层，所述第一限制 层设于所述电子注入层和所述发光层之间，所述第一限制层具有电子传输 能力，并作为电子传输层。

本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于， 制作限制层包括：于所述发光层的上表面制作第一限制层，再于所述第一 限制层和所述电子注入层之间制作电子传输层。

本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于， 所述空穴注入层的空穴注入能力大于所述电子注入层的电子注入能力。

本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于， 制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，所述第二限制 层设于所述空穴注入层和所述发光层之间，所述第二限制层具有空穴传输 能力，并作为空穴传输层。

本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于， 制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，于所述第二限 制层和所述空穴注入层之间制作空穴传输层。

本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于， 制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，所述空穴注入 层的空穴注入能力小于所述电子注入层的电子注入能力。