[发明专利]肖特基势垒二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410617970.6 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN105633172A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 郭涵;郑晨焱 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基势垒二极管及其制备方法，所述肖特基势垒二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的双外延层，包括第一外延层及第二外延层，所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度；若干个沟槽结构，包括沟槽、介质层，以及导电材料；肖特基势垒层，形成于所述双外延层表面；正面电极，形成于所述肖特基势垒层表面；背面电极，形成于所述衬底背面。本发明使用浓度不同的双外延层结构，靠近衬底的那层外延层使用较低浓度的N型掺杂，远离衬底的那层外延层使用较高浓度的N型掺杂，这样既可以达到较高的反向击穿电压，又降低了体电阻从而使正向导通电压降低，使器件性能更优。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述肖特基势垒二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的双外延层，包括结合于所述衬底表面的第一外延层及结合于所述第一外延层表面的第二外延层，所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度；若干个沟槽结构，包括形成于所述双外延层中的沟槽，结合于所述沟槽内表面的介质层，以及填充于所述沟槽内的导电材料；肖特基势垒层，形成于所述第二外延层之上；正面电极，形成于所述肖特基势垒层表面；以及背面电极，形成于所述衬底背面。
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