[发明专利]单片集成式多波长半导体锁模激光器在审
| 申请号： | 201410613588.8 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104617486A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘松涛;张希林;陆丹;张瑞康;吉晨;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列，相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中，SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益，通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率；AWG主要起到选模及复用不同波长的功能；SA实现被动锁模或者混合锁模。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 波长 半导体 激光器 | ||
【主权项】：
一种单片集成式多波长半导体锁模激光器，其为单片集成式脊型激光器，其输出的锁模脉冲具有多个不同的波长通道；所述的激光器包括：半导体光放大器阵列(1)、相位调制器阵列(2)、相位延迟波导阵列(3)、阵列波导光栅(4)、饱和吸收体(5)；五个部分，所述五个部分通过无源脊波导连接，且通过干法刻蚀集成到同一衬底上。
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