[发明专利]单片集成式多波长半导体锁模激光器

权利要求书

1.一种单片集成式多波长半导体锁模激光器，其为单片集成式脊型激光器，其输出的锁模脉冲具有多个不同的波长通道；所述的激光器包括：半导体光放大器阵列(1)、相位调制器阵列(2)、相位延迟波导阵列(3)、阵列波导光栅(4)、饱和吸收体(5)；五个部分，所述五个部分通过无源脊波导连接，且通过干法刻蚀集成到同一衬底上。

2.根据权利要求1所述的单片集成式多波长半导体锁模激光器，其特征在于：所述半导体光放大器阵列(1)，其包括多个半导体光放大器，每个半导体光放大器用于在驱动电流激励作用下产生光增益。

3.根据权利要求1所述的单片集成式多波长半导体锁模激光器，其特征在于：所述的相位调制器阵列(2)包括多个相位调制器，其数目与半导体光放大器数目相同，所用材料体系相同。

4.根据权利要求1所述的单片集成多波长半导体锁模激光器，其特征在于：所述的相位延迟波导阵列(3)包括多个无源弯曲波导，所述无源弯曲波导数目与半导体光放大器数目相同，所用材料体系相同，其用于补偿不同通道间的光程差。

5.根据权利要求1所述的单片集成式多波长半导体锁模激光器，其特征在于：所述的阵列波导光栅(4)，其包括多个输入波导，用于对相位延迟波导阵列输出的增益光进行分割，并将所述多个输入波导分割后的多个通道波长的光复用至同一输出波导，进而输出至饱和吸收体。

6.根据权利要求5所述的单片集成式多波长半导体锁模激光器，其特征在于：所述阵列波导光栅的输入波导数目为所述单片集成式多波长半导体锁模激光器波长输出数目。

7.根据权利要求1所述的单片集成式多波长半导体锁模激光器，其特征在于：所述半导体光放大器阵列和饱和吸收体两部分属于有源器件区，所述相位调制器阵列、相位延迟波导阵列和阵列波导光栅三部分属于无源器件区；所述有源器件区和无源器件物通过有源-无源集成工艺来实现。

8.根据权利要求7所述的单片集成式多波长半导体锁模激光器，其特征在于：所述有源器件区的两部分的材料生长结构均为含有多量子阱结构的双异质结结构，包括：衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱有源层、上限制层、p型上盖层、欧姆接触层。

9.根据权利要求7所述的单片集成式多波长半导体锁模激光器，其特征在于：所述无源器件区的三部分的材料生长结构中，相位调制器阵列包括衬底、缓冲层、下限制层、上限制层、p型上盖层、欧姆接触层，相位延迟波导阵列和阵列波导光包括衬底、缓冲层、下限制层、上限制层、p型上盖层。