[发明专利]制造具有相变层的半导体集成电路的方法在审
| 申请号： | 201410612608.X | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104934531A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 姜世勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体集成电路的方法包括：在半导体衬底中形成下电极；在半导体衬底上形成包括暴露出下电极的相变区的层间绝缘层；沿着层间绝缘层和暴露出的下电极的表面形成具有晶体状态的第一相变层；以及基于所述第一相变层的结晶性在第一相变层上生长第二相变层以填充至相变区中。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 相变 半导体 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体集成电路的方法，所述方法包括：形成具有晶体状态的第一相变层；以及基于所述第一相变层的结晶性来在所述第一相变层上生长第二相变层。
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