[发明专利]制造具有相变层的半导体集成电路的方法在审
| 申请号： | 201410612608.X | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104934531A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 姜世勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 具有 相变 半导体 集成电路 方法 | ||
1.一种制造半导体集成电路的方法，所述方法包括：
形成具有晶体状态的第一相变层；以及
基于所述第一相变层的结晶性来在所述第一相变层上生长第二相变层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在针对非晶相变层的条件下通过沿着所述第一相变层的晶体沉积所述第二相变层来将所述第二相变层形成为具有部分晶体状态。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述第二相变层通过原子沉积层ALD方法在200℃至400℃的温度范围中形成。
4.如权利要求1所述的方法，还包括：在生长所述第二相变层之后，对所述第二相变层进行热处理。
5.一种制造半导体集成电路的方法，所述方法包括：
在半导体衬底中形成下电极；
在所述半导体衬底上形成包括暴露出所述下电极的相变区的层间绝缘层；
沿着所述层间绝缘层和暴露出的下电极的表面形成具有晶体状态的第一相变层；以及
基于所述第一相变层的结晶性来在所述第一相变层上生长第二相变层以填充在所述相变区中。
6.如权利要求5所述的方法，其中，经由化学气相沉积CVD方法或原子层沉积ALD方法在所述第一相变层的结晶温度形成所述第一相变层。
7.如权利要求5所述的方法，其中，在针对非晶相变层的条件下通过沿着所述第一相变层的晶体沉积所述第二相变层来将所述第二相变层形成为具有部分晶体状态。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第二相变层经由ALD方法在200℃至400℃的温度范围中形成。
9.如权利要求5所述的方法，在形成所述层间绝缘层之后，还包括：
在所述相变区的所述层间绝缘层的侧壁上形成绝缘间隔件。
10.一种制造半导体集成电路的方法，所述方法包括：
在半导体衬底中形成下电极；
在所述半导体衬底上形成包括暴露出所述下电极的相变区的层间绝缘层；
沿着所述层间绝缘层和暴露出的下电极的表面形成具有晶体状态的第一相变层；
在非晶沉积条件下，基于所述第一相变层的结晶性来在所述第一相变层上生长第二相变层以填充在所述相变区中；
通过平坦化所述第二相变层和所述第一相变层以保留在所述相变区中来形成阻变层；以及
在所述阻变层上形成上电极。
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