[发明专利]电容器及其制作方法在审
| 申请号: | 201410612605.6 | 申请日: | 2014-11-03 |
| 公开(公告)号: | CN104979163A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
| 发明(设计)人: | 桑居·赛波;布雷特·W·布什;李健;乍得·帕特里克·布莱辛;格雷戈·亚伦·冯斯顿 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种电容器及其制作方法,所述电容器包括一基材、一堆叠层、设于基材上的容器状储存节点结构,所述容器状储存节点结构位于基材上,其被堆叠层环绕且具有一基部及由基部向上延伸的一侧壁,其中所述侧壁的上部具有较小厚度的一电容介电材料层,设于容器状储存节点结构的表面、以及一电容电极材料层,设于电容介电材料层上并通过所述电容介电材料层电容耦合至储存节点结构。 | ||
| 搜索关键词: | 电容器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种电容器,其特征在于,包括:一基材;一堆叠层,设于所述基材上,其中所述堆叠层包括设于所述基材上的一绝缘层、一堆叠材料层,设于所述绝缘层上、一上支撑网层,位于所述堆叠材料层上、以及至少一下支撑网层,设于所述堆叠材料层内;多个容器状储存节点结构,位于所述基材上且被所述堆叠层所环绕,且所述储存节点结构具有一基部及由所述基部向上延伸的一侧壁,其中所述侧壁包括两个部分:一上部具有较小厚度,而一下部具有较大厚度;一电容介电材料层,设于各所述容器状储存节点结构的表面;以及一电容电极材料层,设于所述电容介电材料层上,所述电容电极材料层通过所述电容介电材料层电容耦合至所述储存节点结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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