[发明专利]电容器及其制作方法

权利要求书

1.一种电容器，其特征在于，包括：

一基材；

一堆叠层，设于所述基材上，其中所述堆叠层包括设于所述基材上的一绝缘层、一堆叠材料层，设于所述绝缘层上、一上支撑网层，位于所述堆叠材料层上、以及至少一下支撑网层，设于所述堆叠材料层内；

多个容器状储存节点结构，位于所述基材上且被所述堆叠层所环绕，且所述储存节点结构具有一基部及由所述基部向上延伸的一侧壁，其中所述侧壁包括两个部分：一上部具有较小厚度，而一下部具有较大厚度；

一电容介电材料层，设于各所述容器状储存节点结构的表面；以及

一电容电极材料层，设于所述电容介电材料层上，所述电容电极材料层通过所述电容介电材料层电容耦合至所述储存节点结构。

2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，另包含有一掺杂区，位于各所述储存节点结构下方。

3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述至少一下支撑网层位于所述上部与所述下部之间。

4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述储存节点结构的上表面与所述上支撑网层的上表面齐平。

5.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述上支撑网层、所述至少一下支撑网层、以及所述绝缘层包含有氮化硅。

6.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述储存节点结构包含有氮化钛。

7.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述堆叠材料层包含有多晶硅。

8.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述储存节点结构的高度介于15000埃至20000埃之间。

9.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述上部的厚度少于或等于所述下部的厚度的一半。

10.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述上部的厚度少于40埃。

11.一种电容器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基材，其上具有一堆叠层，所述堆叠层包括设于所述基材上的一绝缘层、一堆叠材料层，设于所述绝缘层上、一上支撑网层，设于所述堆叠材料层上、以及至少一下支撑网层，设于所述堆叠材料层内；

于所述堆叠层中形成一孔洞；

于所述堆叠层及所述孔洞的表面上共形地沉积一储存层；

将所述孔洞填满一光刻胶；

去除所述上支撑网层上的所述储存层；

部分去除位于所述孔洞内的所述光阻，并显露出部分的所述储存层；

对显露出来的所述储存层进行薄化；

去除所述光刻胶；

于所述储存层的表面形成一电容介电材料层；以及

于所述电容介电材料层上形成一电容电极材料层。

12.根据权利要求11所述的电容器的制作方法，其特征在于，所述储存层以一化学机械抛光工艺去除。

13.根据权利要求11所述的电容器的制作方法，其特征在于，所述光刻胶以一去渣工艺进行部分去除。

14.根据权利要求11所述的电容器的制作方法，其特征在于，显露出来的所述储存层以一湿式清洁工艺进行薄化。