[发明专利]非挥发性存储器

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器，其设置于包括周边电路区与存储单元区的基底上。非挥发性存储器包括浮置栅极晶体管、晶体管、自对准阻障层、拉伸层以及接触蚀刻终止层。浮置栅极晶体管设置于存储单元区。晶体管设置于周边电路区。自对准阻障层设置于浮置栅极晶体管的浮置栅极上。拉伸层只设置于浮置栅极上。接触蚀刻终止层覆盖住整个晶体管。

主权项

1.一种非挥发性存储器，设置于包括一周边电路区与一存储单元区的一基底上，包括：浮置栅极晶体管，设置于该存储单元区；晶体管，设置于该周边电路区；自对准阻障层，设置于该浮置栅极晶体管的一浮置栅极上；拉伸层，只设置于该浮置栅极上，并位于该浮置栅极与该自对准阻障层之间，且完全地环绕该浮置栅极，其中该拉伸层的材质为富氮氮化硅；接触蚀刻终止层，覆盖住整个该晶体管，其中该接触蚀刻终止层还覆盖该浮置栅极晶体管；以及衬层，设置于该拉伸层与该浮置栅极之间。