[发明专利]非挥发性存储器

权利要求书

1.一种非挥发性存储器，设置于包括一周边电路区与一存储单元区的一基底上，包括：

浮置栅极晶体管，设置于该存储单元区；

晶体管，设置于该周边电路区；

自对准阻障层，设置于该浮置栅极晶体管的一浮置栅极上；

拉伸层，只设置于该浮置栅极上，并位于该浮置栅极与该自对准阻障层之间，且完全地环绕该浮置栅极，其中该拉伸层的材质为富氮氮化硅；

接触蚀刻终止层，覆盖住整个该晶体管，其中该接触蚀刻终止层还覆盖该浮置栅极晶体管；以及

衬层，设置于该拉伸层与该浮置栅极之间。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，还包括：

选择晶体管，设置于该存储单元区，串接该浮置栅极晶体管；以及

该接触蚀刻终止层，覆盖住整个该选择晶体管。

3.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其中该接触蚀刻终止层还覆盖该浮置栅极晶体管；

该拉伸层，设置于该接触蚀刻终止层与该自对准阻障层之间，且完全地环绕该浮置栅极。

4.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其中该拉伸层设置于该自对准阻障层上，且部分地环绕该浮置栅极。

5.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其中该接触蚀刻终止层还覆盖该浮置栅极晶体管；

该拉伸层，设置于该浮置栅极与该自对准阻障层之间，且完全地环绕该浮置栅极；以及

衬层，设置于该拉伸层与该浮置栅极之间。

6.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中该晶体管为核心金属氧化物半导体晶体管或输入输出金属氧化物半导体晶体管。

7.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中该自对准阻障层的材质为氧化硅。