[发明专利]一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池与制备方法，主要是在普通P型太阳能电池背面制备叠层钝化薄膜，叠层钝化薄膜由SiO_xN_y薄膜与Al₂O₃薄膜构成，该钝化结构中的Al₂O₃薄膜通过原子层沉积技术制备，Al₂O₃薄膜的厚度范围为5~20nm，该钝化结构中的SiO_xN_y薄膜通过等离子体增强化学气相沉积技术制备，SiO_xN_y薄膜厚度为20~50nm；本发明通过优异的背部钝化效果使太阳能电池减少背部表面复合，达到提高光电转换效率的目的。

主权项

一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，其特征在于：包括Si衬底，Si衬底的正面依次向外设置有N+层发射极（3）、SiNX减反层（2），基于N+层发射极（3）上还设置有穿透SiNX减反层（2）的正面银电极（1），其特征在于：在Si衬底的背面设置有背面钝化结构（5），该背面钝化结构（5）为叠层钝化介质层，叠层钝化介质层由内向外依次为Al₂O₃薄膜和SiO_xN_y薄膜。