[发明专利]一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，其特征在于：包括Si衬底，Si衬底的正面依次向外设置有N+层发射极（3）、SiNX减反层（2），基于N+层发射极（3）上还设置有穿透SiNX减反层（2）的正面银电极（1），其特征在于：在Si衬底的背面设置有背面钝化结构（5），该背面钝化结构（5）为叠层钝化介质层，叠层钝化介质层由内向外依次为Al₂O₃薄膜和SiO_xN_y薄膜。

2.根据权利要求1所述的具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述SiO_xN_y薄膜和Al₂O₃薄膜为均匀致密的薄膜材料。

3.根据权利要求1所述的具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述背面钝化结构属于背部表面钝化结构。

4.制备上述单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：硅片衬底在碱制绒设备上进行双面抛光，然后清洗，热风烘干；

步骤2：将硅片放入原子层沉积设备真空腔室中样品架上真空度保持在600-800pa，腔室温度为300℃；

步骤3：然后往原子层沉积设备真空腔室内依次通入铝的金属有机源和水，进行单原子层周期生长，一个原子层厚度控制在0.1~0.2nm之间；

步骤4：重复步骤3，经过多循环的周期沉积生长，在基体表面形成一层均匀的Al₂O₃薄膜，Al₂O₃薄膜的厚度范围5~20nm；

步骤5：取出硅片衬底放入等离子体增强化学气相沉积设备，PE起辉功率控制在5500w—6200w，压强控制在900—1200mTor，通入不同流量的氨气NH₃、硅烷SiH₄和笑气N₂O，沉积SiO_xN_y薄膜，SiO_xN_y薄膜的厚度范围为20~50nm；

步骤6：完成背面钝化介质层的制备后，进入传统单晶硅电池制备工艺流程。