[发明专利]封装基板的阻焊制作方法在审
| 申请号： | 201410606048.7 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104392934A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 宋阳 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种封装基板的阻焊制作方法，包括下述步骤：步骤一，对基板的表面和基板表面的线路图形进行粗化处理；步骤二，在基板表面压合阻焊干膜；步骤三，对压合阻焊干膜后的基板进行固化处理；步骤四，制作阻焊开窗的图形资料；步骤五，根据阻焊开窗图形资料的阻焊开窗尺寸、干膜厚度、阻焊干膜固化后的硬度进行调整激光器的加工参数，用激光器对阻焊开窗区域进行开窗处理；步骤六，对激光加工阻焊开窗区域的残留物、开窗后线路图形的露出部位进行清洁处理。本方法工艺相容性好，非常适合阻焊开窗尺寸小、开窗对位精度要求高的基板的加工。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 制作方法 | ||
【主权项】：
一种封装基板的阻焊制作方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤一，对基板(1)的表面和基板(1)表面的线路图形(2)进行粗化处理；步骤二，在基板(1)表面压合阻焊干膜(3)；步骤三，对压合阻焊干膜(3)后的基板(1)进行固化处理；步骤四，制作阻焊开窗(4)的图形资料；步骤五，根据阻焊开窗(4)图形资料的阻焊开窗尺寸、干膜厚度、阻焊干膜固化后的硬度进行调整激光器的加工参数，用激光器对阻焊开窗(4)区域进行开窗处理；步骤六，对激光加工阻焊开窗区域的残留物、开窗后线路图形(2)的露出部位进行清洁处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
