[发明专利]封装基板的阻焊制作方法在审
申请号: | 201410606048.7 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN104392934A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 宋阳 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及基板封装领域,尤其是一种封装基板的阻焊制作方法。
背景技术
现有的基板阻焊技术大部分都是用液态油墨材料来制作阻焊,由于液态油墨在加工过程中受基板线路图形、油墨特性等影响,会产生漏印、油墨厚度不均匀等问题。对于阻焊开窗尺寸小、开窗对位精度要求高的基板,液态油墨在进行曝光、显影等工艺都难以控制加工精度,对于阻焊开窗尺寸小于80um的基板,若用液态油墨加工,会产生曝光不良,显影不净等影响。从而影响后续的制作。
由于现在基板的封装密度、封装精度越来越高,致使基板的焊盘尺寸、线条宽度变的越来越小;当封装基板的焊盘、线条宽度越来越小时,对于阻焊开窗的对位精度、阻焊开窗尺寸的要求越来越高,这对传统用液态油墨制作阻焊工艺带来了极大地限制。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足,提供一种封装基板的阻焊制作方法,通过运用干膜型阻焊剂以及UV激光加工方法,能够高质量的完成基板的阻焊制作,特别是开窗尺寸小、开窗对位精度要求高的板件;在加工过程中,本发明方法能够完全与现有的基板工艺技术相兼容,不需要对常规的基板工艺做过多的改进,且工艺相容性好,非常适合阻焊开窗尺寸小、开窗对位精度要求高的的基板的加工,而且省去了阻焊显影工序的工作,提高了加工的效率。本发明采用的技术方案是:
一种封装基板的阻焊制作方法,包括下述步骤:
步骤一,对基板的表面和基板表面的线路图形进行粗化处理;
步骤二,在基板表面压合阻焊干膜;
步骤三,对压合阻焊干膜后的基板进行固化处理;
步骤四,制作阻焊开窗的图形资料;
步骤五,根据阻焊开窗图形资料的阻焊开窗尺寸、干膜厚度、阻焊干膜固化后的硬度进行调整激光器的加工参数,用激光器对阻焊开窗区域进行开窗处理;
步骤六,对激光加工阻焊开窗区域的残留物、开窗后线路图形的露出部位进行清洁处理。
进一步地,步骤一中采用前处理药液进行粗化处理。
进一步地,步骤二中,阻焊干膜的材料采用日本TAIYO公司的AUS410;用真空压膜机进行压合阻焊干膜。
进一步地,步骤五中,采用的激光器是UV激光器。
本发明的优点在于:
1)本发明的实施工艺基于有机基板的工艺方法和材料开展的,缩减了阻焊显影工序的工作,提高了加工效率,能够满足基板的阻焊工艺可靠性等要求。
2)该技术方案对于封装基板的小尺寸阻焊开窗、对位精度带来了很大的技术提升。
3)此方案的阻焊加工工艺和PCB工艺相兼容,不需要新的设备和工艺就可以实现,更适应于该技术在基板量产厂商的推广和大规模量产。
附图说明
图1为本发明的基板及外层线路图形示意图。
图2为本发明的真空压合阻焊干膜示意图。
图3为本发明的激光扫阻焊开窗示意图。
图4为本发明的阻焊开窗区域示意图。
图5为本发明的流程图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
图1中,待处理的基板1正面和背面都加工好了线路图形2。封装基板的阻焊制作方法包括下述步骤:
步骤一,对基板1的表面和基板1表面的线路图形2进行粗化处理;
此步骤中,具体可采用前处理药液对基板1表面线路图形进行粗化处理,目的是提高基板与阻焊干膜的结合力。前处理药液可采用日本EBARA公司的“Ebachem Neo Brown”NBD II型药液。
步骤二,在基板1表面压合阻焊干膜3;
因为本例中,基板1的正面和背面都有线路图形,因此,如图2所示,在基板1的正面和背面都压合阻焊干膜3;阻焊干膜3的材料采用日本TAIYO公司的AUS410。为保证阻焊干膜3的平整度,此步骤需要用真空压膜机进行压合,根据基板厚度、阻焊干膜的厚度进行调整真空压膜的参数。
步骤三,对压合阻焊干膜3后的基板1进行固化处理;
此步骤的固化可在烤箱中加温固化,或者采用UV固化(UV:紫外线的简称,UV固化即利用紫外线照射固化)。
步骤四,制作阻焊开窗4的图形资料;
阻焊开窗4的图形资料表明了基板1上哪些区域需要进行开窗,比如焊盘所在位置;
步骤五,根据阻焊开窗4图形资料的阻焊开窗尺寸、干膜厚度、阻焊干膜固化后的硬度进行调整激光器的加工参数,用激光器对阻焊开窗4区域进行开窗处理;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造