[发明专利]MOS晶体管的形成方法

摘要

一种MOS晶体管的形成方法，先干法刻蚀栅极结构两侧的有源区形成碗状凹槽，接着采用HF酸溶液腐蚀半导体衬底后采用碱性溶液腐蚀碗状凹槽形成sigma形凹槽，其中，至少在HF酸溶液腐蚀半导体衬底前，在起隔离相邻有源区作用的浅沟槽隔离结构表面形成改性区以减弱HF酸对其的腐蚀。如此，由于改性区的存在，可以使得HF酸腐蚀半导体衬底时，避免腐蚀浅沟槽结构，进而避免浅沟槽隔离结构出现空洞或在sigma形凹槽内填入压应力材料或拉应力材料以形成源漏区时，还在腐蚀去除的浅沟槽结构处形成导电的源漏区填入材料，最终改善浅沟槽隔离结构的绝缘性，避免制作的相邻MOS晶体管之间出现信号相互干扰现象。

主权项

一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有若干有源区，相邻有源区之间采用浅沟槽隔离结构隔开，所述有源区上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的有源区用于形成sigma形凹槽；干法刻蚀栅极结构两侧的有源区形成碗状凹槽，采用HF酸溶液腐蚀所述半导体衬底后采用碱性溶液腐蚀所述碗状凹槽形成sigma形凹槽；在所述sigma形凹槽内填充压应力材料或拉应力材料以形成源漏区；其特征在于，至少在HF酸溶液腐蚀所述半导体衬底前，在所述浅沟槽隔离结构表面形成改性区以减弱HF酸对所述浅沟槽隔离结构的腐蚀。