[发明专利]MOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有若干有源区，相邻有源区之间 采用浅沟槽隔离结构隔开，所述有源区上具有栅极结构，所述栅极结构两侧 的有源区用于形成sigma形凹槽；

干法刻蚀栅极结构两侧的有源区形成碗状凹槽，采用HF酸溶液腐蚀所述 半导体衬底后采用碱性溶液腐蚀所述碗状凹槽形成sigma形凹槽；

在所述sigma形凹槽内填充压应力材料或拉应力材料以形成源漏区；

其特征在于，至少在HF酸溶液腐蚀所述半导体衬底前，在所述浅沟槽隔 离结构表面形成改性区以减弱HF酸对所述浅沟槽隔离结构的腐蚀。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，干法刻蚀 栅极结构两侧的有源区形成碗状凹槽后，对所述半导体衬底进行硅离子注 入以在浅沟槽隔离结构表面形成所述改性区。

3.根据权利要求2所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述硅离 子注入参数为：能量范围为0.5KeV～5KeV，剂量范围为 1E15atom/cm²～5E16atom/cm²。

4.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，干法刻蚀 栅极结构两侧的有源区形成碗状凹槽前，对所述半导体衬底进行硅离子、 碳离子或氮离子注入以在浅沟槽隔离结构表面形成所述改性区。

5.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成 的晶体管为PMOS晶体管，所述sigma形凹槽内填入的为压应力材料，所 述压应力材料为硅锗。

6.根据权利要求5所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述压应 力材料填充采用外延生长法，所述外延生长过程中，同时掺杂P型元素， 所述P型元素为硼。

7.根据权利要求6所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述外延 生长过程中，硅源为SiH₄，二氯硅烷、或Si₂H₆中的至少一种，锗源为GeH₄， 硼源为B₂H₆。

8.根据权利要求7所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述外延 生长的工艺参数为：SiH₄，二氯硅烷、或Si₂H₆的流量为5sccm～500sccm， B₂H₆的流量为5sccm～500sccm，GeH₄的流量为5sccm～500sccm，氯化 氢气体的流量为1sccm～300sccm，H₂的流量为1slm～50slm，生长温度 范围为400℃～900℃。

9.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成 的晶体管为NMOS晶体管，所述sigma形凹槽内填入的为拉应力材料，所 述拉应力材料为碳化硅。

10.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述碱性 溶液为TMAH溶液或KOH溶液。

11.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，相邻浅沟 槽隔离结构隔开的有源区形成有一个MOS晶体管或两个或两个以上并联 的MOS晶体管。