[发明专利]PMOS晶体管的形成方法

摘要

一种PMOS晶体管的形成方法，对于源漏区的sigma形凹槽内的硅锗籽晶层形成阶段，在锗源气体流量逐渐增大的第一子阶段与流量平稳的第二子阶段之间增加流量逐渐减小的第五子阶段，第五子阶段的锗源气体初始流量与第一子阶段末尾流量相等；和/或对于体材料形成阶段，在气体流量逐渐增大的第三子阶段与流量平稳的第四子阶段之间增加流量逐渐减小的第六子阶段，第六子阶段的锗源气体初始流量与第三子阶段末尾流量相等。能避免第一子阶段与第二子阶段衔接处，和/或第三子阶段与第四子阶段衔接处的流量突变引起所形成的硅锗材料中锗含量突然增大，造成硅锗材料晶格不匹配，sigma形凹槽侧壁出现缺陷造成源漏区载流子进入沟道区引起漏电流。

主权项

1.一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成有sigma形凹槽；在所述sigma形凹槽内填充硅锗材料以形成源漏区；其特征在于，所述硅锗材料的填充分籽晶层形成阶段与体材料形成阶段；所述籽晶层形成阶段至少包括依次进行的第一子阶段与第二子阶段，所述第一子阶段内，锗源气体的流量逐渐增大，所述第二子阶段内，所述锗源气体的流量平稳；所述体材料形成阶段至少包括依次进行的第三子阶段与第四子阶段，所述第三子阶段内，锗源气体的流量逐渐增大，所述第四子阶段内，所述锗源气体的流量平稳；其中，所述第一子阶段与第二子阶段之间还进行第五子阶段，所述第五子阶段的锗源气体初始流量与所述第一子阶段的末尾锗源气体流量相等，所述第三子阶段与第四子阶段之间还进行第六子阶段，所述第六子阶段的锗源气体初始流量与所述第三子阶段的末尾锗源气体流量相等，所述第五子阶段与第六子阶段中的至少一个，所述锗源气体的流量逐渐减小；所述第二子阶段的锗源气体初始流量与所述第一子阶段的末尾锗源气体流量相等，所述第四子阶段的锗源气体初始流量与所述第三子阶段的末尾锗源气体流量相等。