[发明专利]PMOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种PMOS晶体管的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成有sigma形凹槽；

在所述sigma形凹槽内填充硅锗材料以形成源漏区；

其特征在于，所述硅锗材料的填充分籽晶层形成阶段与体材料形成阶段；所述籽晶层形成阶段至少包括依次进行的第一子阶段与第二子阶段，所述第一子阶段内，锗源气体的流量逐渐增大，所述第二子阶段内，所述锗源气体的流量平稳；所述体材料形成阶段至少包括依次进行的第三子阶段与第四子阶段，所述第三子阶段内，锗源气体的流量逐渐增大，所述第四子阶段内，所述锗源气体的流量平稳；

其中，所述第一子阶段与第二子阶段之间还进行第五子阶段，所述第五子阶段的锗源气体初始流量与所述第一子阶段的末尾锗源气体流量相等，所述第三子阶段与第四子阶段之间还进行第六子阶段，所述第六子阶段的锗源气体初始流量与所述第三子阶段的末尾锗源气体流量相等，所述第五子阶段与第六子阶段中的至少一个，所述锗源气体的流量逐渐减小；所述第二子阶段的锗源气体初始流量与所述第一子阶段的末尾锗源气体流量相等，所述第四子阶段的锗源气体初始流量与所述第三子阶段的末尾锗源气体流量相等。

2.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第五子阶段与第六子阶段中的至少一个，所述锗源气体的流量呈直线下降。

3.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第五子阶段与第六子阶段中，所述锗源气体的流量都逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第五子阶段与第六子阶段中，其中一个子阶段中的锗源气体的流量逐渐减小，另一个子阶段中的锗源气体的流量平稳。

5.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述体材料形成阶段还包括第七子阶段，所述第七子阶段的锗源气体初始流量与所述第四子阶段的末尾锗源气体流量相等，所述第七子阶段内锗源气体的流量逐渐减小。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述锗源气体为GeH₄。

7.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述锗源气体的流量逐渐减小的第五子阶段或第六子阶段持续的时间范围为5秒～10秒。

8.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述体材料形成阶段还进行P型离子原位掺杂，所述P型离子原位掺杂至少包括依次进行的第一阶段与第二阶段，所述第一阶段内，P型离子源气体的流量逐渐增大，所述第二阶段内，所述P型离子源气体的流量平稳；其中，所述第一阶段与第二阶段之间还进行第三阶段，所述第三阶段的P型离子源气体初始流量与所述第一阶段的末尾P型离子源气体流量相等，所述第三阶段中所述P型离子源气体的流量逐渐减小。

9.根据权利要求8所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第三阶段中所述P型离子源气体的流量呈直线下降。

10.根据权利要求8所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二阶段的P型离子源气体初始流量与所述第一阶段的末尾P型离子源气体流量相等。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述P型离子为硼，所述P型离子源气体为B₂H₆。

12.根据权利要求8所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第三阶段持续的时间范围为5秒～10秒。