[发明专利]使用低温过程的高温半导体器件封装和结构的方法及装置有效
| 申请号： | 201410601839.0 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104600054B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 拉克希米纳拉扬·维斯瓦纳坦 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李宝泉;周亚荣 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种使用低温过程的高温半导体器件封装和结构的方法及装置。提供了包含陶瓷、有机和金属材料的组合的半导体器件封装，其中这些材料通过使用银而耦合。在压力和低温下，银以细颗粒的形式被应用。应用之后，银形成了具有银的典型熔点的固体，因此，成品封装能承受比制造温度显著高的温度。此外，因为银是各种组合材料之间的接口材料，由于接合的低温度和银的延展性，陶瓷、有机和金属组件之间的不同材料特性的效果例如热膨胀系数被降低。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 低温 过程 高温 半导体器件 封装 结构 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件封装，包括：所述半导体器件封装的第一材料部分，其中第一材料包括陶瓷或有机材料中的一个；所述半导体器件封装的第二材料部分，其中第二材料包括金属材料；以及被放置为耦合所述半导体器件封装的所述第一和第二材料部分的烧结银区域；其中：所述半导体器件封装包括气腔封装，所述第一材料部分包括金属化陶瓷窗框，以及所述第二材料部分包括导电金属底板或引线。
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