[发明专利]使用低温过程的高温半导体器件封装和结构的方法及装置

权利要求书

1.一种半导体器件封装，包括：

所述半导体器件封装的第一材料部分，其中第一材料包括陶瓷或有机材料中的一个；

所述半导体器件封装的第二材料部分，其中第二材料包括金属材料；以及

被放置为耦合所述半导体器件封装的所述第一和第二材料部分的烧结银区域；其中：

所述半导体器件封装包括气腔封装，

所述第一材料部分包括金属化陶瓷窗框，以及

所述第二材料部分包括导电金属底板或引线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中所述烧结银区域是通过在比银的熔点低的形成温度应用细颗粒银形成的。

3.根据权利要求2所述的半导体器件封装，其中所述形成温度在200℃和300℃之间。

4.一种形成半导体器件封装的方法，其特征在于，包括：

在底板的顶面和绝缘框架的底面之间施加包括颗粒银的材料；

执行烧结过程以将包括颗粒银的材料转换为烧结银，其中烧结银将绝缘框架的底面耦合到底板的顶面；以及

在绝缘框架的顶面和导电金属引线之间施加包括颗粒银的材料；

执行烧结过程以将包括颗粒银的材料转换为烧结银，其中烧结银将导电金属引线耦合到绝缘框架的顶面。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，施加包括颗粒银的材料包括：

在底板的顶面和绝缘框架的底面之间施加细颗粒银或纳米银浆。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述执行烧结过程包括：

将半导体器件封装提供于低于银的熔点的形成温度下，形成温度在200℃和300℃之间。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

具有顶面和底面的绝缘框架；

具有顶面的基板，其具有接口区域；

在绝缘框架的底面和基板的顶面的接口区域之间的烧结银，其中烧结银将绝缘框架的底面直接耦合到基板的顶面；以及

通过烧结银而耦合到绝缘框架的顶面的导电金属引线。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：

通过烧结银而耦合到基板的管芯连接区域的半导体器件管芯；

在半导体器件管芯和导电金属引线之间的电接触；以及

气腔盖，其中气腔盖耦合到绝缘框架的顶面和导电金属引线。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：通过烧结银而耦合到基板的管芯连接区域的半导体器件管芯。