[发明专利]一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法有效
| 申请号： | 201410599879.6 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104393136A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 卓祥景;林志伟;陈凯轩;蔡建九;张永;姜伟;林志园;尧刚 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、第一N型掺杂层、第二N型掺杂层、InGaN/GaN多量子阱有源层、电子阻挡层、P型掺杂层及接触层；生长完第一N型掺杂层之后，关闭有机源，减小或者停止NH3通入反应室，在H2或者N2氛围下停顿生长10-200s，获得表面粗糙的第一N型掺杂层。本发明可以同时提高LED内量子效率与外量子效率，且制备方法简单，制备成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光 效率 gan led 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、第一N型掺杂层、第二N型掺杂层、InGaN/GaN 多量子阱有源层、电子阻挡层、P型掺杂层及接触层；生长完第一N型掺杂层之后，关闭有机源，减小或者停止NH3通入反应室，在H2 或者N2氛围下停顿生长10‑200s，获得表面粗糙的第一N型掺杂层。
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