[发明专利]一种多晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410598219.6 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104328493A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李慧 | 申请（专利权）人： | 上海科慧太阳能技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人： | 任转英;刘大弯 |
| 地址： | 200092 上海市虹口*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温条件下的大面积多晶硅薄膜的制备方法，对衬底先进行常规清洗后，放置于真空镀膜系统中，使用氢气对衬底再进行等离子体原位清洗；采用硅烷和氢气为反应气体，在衬底上进行预沉积得到薄膜，将得到的薄膜采用氢气进行等离子刻蚀，对蚀刻后的薄膜进行再次沉积得到多晶硅薄膜。本发明的技术方案可制备廉价的高质量大面积的多晶硅薄膜，其晶粒晶界少，晶化程度高，晶粒大，用于太阳能电池上可望提高多晶硅薄膜太阳能电池的性能，同时在光电子器件等其他领域得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，对衬底先进行常规清洗后，放置于真空镀膜系统中，使用氢气对衬底再进行等离子体原位清洗；采用硅烷和氢气为反应气体，在衬底上进行预沉积得到薄膜，将得到的薄膜采用氢气进行等离子刻蚀，对蚀刻后的薄膜进行再次沉积得到多晶硅薄膜。
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