[发明专利]一种多晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410598219.6 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104328493A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李慧 | 申请（专利权）人： | 上海科慧太阳能技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人： | 任转英;刘大弯 |
| 地址： | 200092 上海市虹口*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，对衬底先进行常规清洗后，放置于真空镀膜系统中，使用氢气对衬底再进行等离子体原位清洗；采用硅烷和氢气为反应气体，在衬底上进行预沉积得到薄膜，将得到的薄膜采用氢气进行等离子刻蚀，对蚀刻后的薄膜进行再次沉积得到多晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，等离子蚀刻所采用氢气的流量为10sccm～100sccm，刻蚀时间为1～12min。
3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，预沉积和再次沉积过程中硅烷流量为1sccm～50sccm，氢气流量为10sccm～100sccm。
4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，预沉积的沉积时间为2～10min，再次沉积的沉积时间为1h～5h。
5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空镀膜系统为采用微波等离子增强化学气相沉积法的镀膜系统。
6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅片、普通玻璃或导电玻璃。
7.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底的常规清洗为依次用丙酮，无水乙醇和去离子水超声清洗10min，并采用氮气进行吹干。
8.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，等离子体原位清洗采用氢气的流量为10sccm～100sccm，等离子体原位清洗时间为10mim～20min。
9.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底的温度范围为25℃～500℃，真空镀膜系统的微波功率为500W～1200W。
10.一种如权利要求1～9任一项所述的方法制备的多晶硅薄膜。
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