[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，在浅沟槽中部分填充前一介质层之后，再利用光刻胶自对准保护浅沟槽内形成的前一介质层，刻蚀掉硬掩膜层上的多余前一介质层，减小后一介质层填充时的浅沟槽深宽比(aspect ratio)，极大的减少了填充空洞等缺陷，降低浅沟槽填充的工艺难度。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括浅沟槽刻蚀步骤以及光阻层和介质层交替填充步骤，所述浅沟槽刻蚀步骤包括：在一半导体衬底上形成具有浅沟槽图案的硬掩膜层，以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底形成浅沟槽；所述光阻层和介质层交替填充步骤至少包括一次介质层部分填充、光阻层填充以及介质层再填充组成的过程，其中，所述介质层部分填充包括:在所述浅沟槽中部分填充前一介质层，所述前一介质层在浅沟槽中的厚度低于所述浅沟槽的深度；所述光阻层填充包括：在部分填充有所述前一介质层的浅沟槽内填满光阻层，并去除硬掩膜层表面上的多余前一介质层；所述介质层再填充包括：去除所述光阻层，在所述浅沟槽中部分填充后一介质层，若所述后一介质层填满所述浅沟槽，则进行顶部化学机械平坦化以形成浅沟槽隔离结构；若所述后一介质层未填满所述浅沟槽，则继续光阻层填充和介质层再填充组成的过程，直至介质层再填充过程的介质层填满所述浅沟槽。