[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制造方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括浅沟槽刻蚀步骤以及光阻层和介质层交替填充步骤，所述浅沟槽刻蚀步骤包括：在一半导体衬底上形成具有浅沟槽图案的硬掩膜层，以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底形成浅沟槽；所述光阻层和介质层交替填充步骤至少包括一次介质层部分填充、光阻层填充以及介质层再填充组成的过程，其中，

所述介质层部分填充包括:在所述浅沟槽中部分填充前一介质层，所述前一介质层在浅沟槽中的厚度低于所述浅沟槽的深度；

所述光阻层填充包括：在部分填充有所述前一介质层的浅沟槽内填满光阻层，并去除硬掩膜层表面上的多余前一介质层；

所述介质层再填充包括：去除所述光阻层，在所述浅沟槽中部分填充后一介质层，若所述后一介质层填满所述浅沟槽，则进行顶部化学机械平坦化以形成浅沟槽隔离结构；若所述后一介质层未填满所述浅沟槽，则继续光阻层填充和介质层再填充组成的过程，直至介质层再填充过程的介质层填满所述浅沟槽。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅、氮氧化硅、非晶碳、氮化硼、氮化钛中的至少一种，所述硬掩膜层为单层结构或者由不同材质形成的多层堆叠结构。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，在所述浅沟槽内填充的光阻层的顶部不低于硬掩膜层表面。

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，第一次在所述浅沟槽中部分填充介质层之前，还在所述浅沟槽中填充内衬层。

5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述第一次部分填充的介质层在所述浅沟槽底部的厚度大于浅沟槽深度的10％。

6.如权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，在所述浅沟槽中部分填充的前一介质层覆盖所述浅沟槽的内侧壁和底部，所述方法还包括：在所述浅沟槽内填充光阻层之前或者去除所述浅沟槽内的光阻层之后，对所述浅沟槽内侧壁的前一介质层进行回拉刻蚀以增大所述浅沟槽的开口。

7.如权利要求6所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述前一介质层位于浅沟槽侧壁的宽度大于所述前一介质层的回拉刻蚀的距离大于

8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，填充在所述浅沟槽中的各层介质层的材质完全相同、部分相同或者完全不同。

9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述填充在所述浅沟槽中的介质层分别为氧化硅或者氮氧化硅或者氮化层和氧化硅层堆叠而成的结构。