[发明专利]半导体加工设备有效
申请号: | 201410593281.6 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN105632967B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 王福来 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体加工设备,其包括反应腔室、下电极和固定机构,其中,下电极由该固定机构固定在反应腔室内,且在该下电极底部设置有加热器,该固定机构包括至少三个支撑柱,且关于该下电极的轴向中心线对称分布;每个支撑柱的两端分别与加热器的底部和反应腔室底部的腔室壁密封连接,并且在所有的支撑柱中,至少有一个支撑柱采用空腔结构;在反应腔室底部的腔室壁上,且与各个空腔的支撑柱一一对应地位置处设置有通孔,空腔的支撑柱和与之相对应的通孔用于将加热器的线缆引出至反应腔室之外。本发明提供的半导体加工设备,其不仅结构简单、安装方便,而且还可以使下电极的底部结构呈对称分布,从而可以保证气流分布均匀。 | ||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体加工设备,包括反应腔室、下电极和固定机构,所述下电极由所述固定机构固定在所述反应腔室内,且在所述下电极底部设置有加热器,其特征在于,所述固定机构包括至少三个支撑柱、中心法兰和第一转接法兰,其中,至少三个所述支撑柱关于所述下电极的轴向中心线对称分布;每个支撑柱的两端分别与所述加热器的底部和所述反应腔室底部的腔室壁密封连接,并且在所有的所述支撑柱中,至少有一个支撑柱采用空腔结构;在所述反应腔室底部的腔室壁上,且与各个空腔的所述支撑柱一一对应地位置处设置有通孔,空腔的所述支撑柱和与之相对应的所述通孔用于将所述加热器的线缆引出至所述反应腔室之外;所述中心法兰固定在所述加热器的底部,其具有中心孔,用以将所述加热器的线缆引出;所述第一转接法兰的上端面与所述中心法兰的下端面密封连接,所述第一转接法兰的下端面与各个支撑柱的上端密封连接;并且,在所述第一转接法兰内设置有第一引出孔,用于一一对应地将各个支撑柱的空腔与所述中心孔连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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