[发明专利]半导体加工设备

权利要求书

1.一种半导体加工设备，包括反应腔室、下电极和固定机构，所述下电极由所述固定机构固定在所述反应腔室内，且在所述下电极底部设置有加热器，其特征在于，所述固定机构包括至少三个支撑柱、中心法兰和第一转接法兰，其中，至少三个所述支撑柱关于所述下电极的轴向中心线对称分布；每个支撑柱的两端分别与所述加热器的底部和所述反应腔室底部的腔室壁密封连接，并且在所有的所述支撑柱中，至少有一个支撑柱采用空腔结构；

在所述反应腔室底部的腔室壁上，且与各个空腔的所述支撑柱一一对应地位置处设置有通孔，空腔的所述支撑柱和与之相对应的所述通孔用于将所述加热器的线缆引出至所述反应腔室之外；

所述中心法兰固定在所述加热器的底部，其具有中心孔，用以将所述加热器的线缆引出；

所述第一转接法兰的上端面与所述中心法兰的下端面密封连接，所述第一转接法兰的下端面与各个支撑柱的上端密封连接；并且，在所述第一转接法兰内设置有第一引出孔，用于一一对应地将各个支撑柱的空腔与所述中心孔连通。

2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述中心法兰的下端面与所述第一转接法兰的上端面之间设置有第一密封圈，用以对二者之间的间隙进行密封。

3.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一转接法兰的下端面与各个支撑柱采用焊接或者一体成型的方式密封连接。

4.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述第一转接法兰内设置有冷却管道，所述冷却管道的输入管和输出管依次通过所述中心孔、所述第一引出孔、所述支撑柱的空腔和所述通孔伸出至所述反应腔室之外；

通过向所述冷却管道通入冷却水，对所述第一密封圈进行冷却。

5.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述固定机构还包括第一接地连接装置，用于将所述下电极与第一转接法兰电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述固定机构还包括第二转接法兰，所述第二转接法兰的下端面与所述反应腔室底部的腔室壁密封连接，所述第二转接法兰的上端面与各个支撑柱的下端密封连接；

在所述第二转接法兰内设置有第二引出孔，用于将各个支撑柱的空腔一一对应地与各个通孔连通。

7.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述第二转接法兰的下端面与所述反应腔室底部的腔室壁之间设置有第二密封圈，用以对二者之间的间隙进行密封。

8.根据权利要求6或7所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述反应腔室底部的腔室壁上设置有定位槽，所述第二转接法兰的下部分位于所述定位槽内。

9.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述固定机构还包括第二接地连接装置，用于将所述第二转接法兰和所述反应腔室底部的腔室壁电连接；

所述反应腔室底部的腔室壁接地。